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也许未来的个人电脑中不会再有动态随机存取内存(DRAM)，因为它已经被新一代的非挥发性内存所取代，甚至是我们现在用来存储数据的闪存及硬盘都会受到这种新兴科技产品的威胁。
据市场研究业者预估，下一代非挥发性内存市场的规模有机会在2011年达到657亿美元。这个数字将包括多种创新技术，例如磁阻随机存取内存(MRAM)、铁电内存、相变化内存、全像内存、碳纳米管内存、分子内存及聚合物内存。
业者表示：“动态随机存取内存、静态内存(SRAM)和闪存(Flash)将继续存在数十年，但在英特尔、IBM、AMD、日立、德州仪器等半导体大厂支持下，新一代的纳米储存媒体肯定会侵蚀相当部分的传统内存与硬盘市场。
预估，在7年以后，也就是2011年，纳米储存科技将抢占约40%的硬盘与内存芯片市场，达到657亿美元的市场规模，而2011年的硬盘与内存芯片市场规模约为1660亿美元。
不过非挥发性内存现在还根本无法与硬盘与内存抗衡，事实上，这种科技新品今年的市场规模仅为9700万美元，未来4年内有望出现爆发式成长，在2008年达到179亿美元，进而在2011年成长到657亿美元。
其中，磁阻随机存取内存将成为非挥发性内存的明星产品，虽然它今年的市场规模只有200美元，但2008年就会成长到38亿美元，2011年达到129亿美元。
全像内存是排位第二的产品，预计到2008年，它的市场会达到33亿美元，2011年进一步成长为69亿美元。
相变化内存则排位第三，它的市场会在2008年达到11亿美元，2011年进一步成长为48亿美元。
第四位是铁电内存，2008年时这种内存应该会有13亿美元的市场，2011年达到45亿美元。
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